根據(jù)產(chǎn)生影響機理和效果不同，輻射效應分成如下幾類：

        總劑量效應體現(xiàn)在“總"字面上，意味著這種現(xiàn)象是一種與輻射量相關的累積過程。高能射線入射到半導體器件內(nèi)部就會與半導體材料發(fā)生“交互作用"，這種作用主要是入射射線將自身的能力釋放出來，通過產(chǎn)生熱量或者誘發(fā)半導體材料發(fā)生電離，即使中性區(qū)電離，產(chǎn)生電子-空穴對。在這個過程中熱效應可以忽略，而明顯影響半導體器件工作的是電離效應。能量的釋放多少決定了效應大或小，工程上人們通常以離子入射軌跡上沉積電離能量來描述這種能量釋放過程，即線性能量沉積值（LET-Linear Energy Transfer，MeV cm2/mg），工程標定普遍采用以Si為沉積介質(zhì)來比較不同離子電離效應的大小，而科學上可以基于Monte-Carlo方法獲得不同介質(zhì)內(nèi)LET值的大小。我們可以想象，粒子射線的LET越大，射線產(chǎn)生的電子-空穴對越多。而在半導體器件中尤其是結區(qū)，或者中性層中均存在較高的反偏電場，電場能夠造成新產(chǎn)生的電子-空穴對的分離，宏觀上表現(xiàn)出電流波動。可想而知，如果粒子LET過大，將產(chǎn)生較大的瞬態(tài)電流，這種瞬態(tài)電流會產(chǎn)生其他的電路功能異常。而在低LET值下，瞬態(tài)電流很小，不會直接誘發(fā)器件功能異常，但是載流子再輸運過程中會與器件中Si和鈍化層界面上發(fā)生交互作用，被Si/SiO2界面缺陷俘獲，或由于氧化層絕緣性質(zhì)，電子和空穴遷移速度不同，導致正電荷俘獲累積。這些都會引起器件功能異常，而且這些被俘獲的電荷會隨著射線累積量的增加而增加，從而引發(fā)電路參數(shù)的不斷漂移，這就是總劑量效應的累積效應的根本原因。器件參數(shù)隨著總劑量累積的變化與器件功能實現(xiàn)結構有關，篇幅原因不詳細論述。

        接著前面說到的，當入射粒子LET值較大時，產(chǎn)生瞬態(tài)電流過高時，引發(fā)另一種瞬態(tài)效應，幸運的是，大LET粒子在宇宙空間中的分布非常稀薄，稀薄到?jīng)]有兩個粒子能夠同時入射到器件上，因此這種瞬態(tài)效應，宏觀表現(xiàn)的是較低占空比的脈沖形式，如果一個個獨立事件發(fā)生一樣，因此稱之為單粒子事件，這種單事件瞬態(tài)效應主要產(chǎn)生的影響如下：

        1）電荷收集，造成器件某些電位的狀態(tài)發(fā)生改變，常見于邏輯電路，存儲器，這些器件共同特性依賴于電位高低傳遞表征信息，而高能粒子射線產(chǎn)生的瞬態(tài)電流會帶來“節(jié)點"電荷收集，而超過臨界量，節(jié)點電位就會發(fā)生改變，這個過程成為單粒子翻轉(zhuǎn)（Single Event Upset）。

        2）瞬態(tài)電流激活器件內(nèi)部寄生的“可控硅"結構，從而使得電流流動進入正向回饋循環(huán)，造成器件工作電流“階梯"上升，這個效應稱為單粒子鎖定（Single Event Latch up）。

        3）對于復雜邏輯器件，如MCU、FPGA、DSP、CPU、GPU等處理器，單瞬態(tài)電流脈沖會造成某個或某段時序邏輯發(fā)生錯誤，從而造成程序“跑飛"，功能喪失，這個效應稱為單粒子功能中斷（Single Event Function interrupt）。

        4）對于功率類器件，其本身工作過程要承載較大的功率，瞬態(tài)電流可能造成器件內(nèi)的寄生BJT導通，從而使得寄生結構進入正反饋狀態(tài)，最終造成器件的燒毀，這個效應稱為單粒子燒毀（Single Event Burnup）；或入射粒子穿透柵極，在器件內(nèi)形成界面電荷累積，使柵電場瞬態(tài)增大，進而引發(fā)柵介質(zhì)擊穿，這個效應稱為單粒子柵穿（Single Event Gate Rupture）。

        半導體材料是由Si、SiC、GaAs、GaN等材料以晶體和局域摻雜所呈現(xiàn)出特別的導電物理特性。高能粒子尤其是具有質(zhì)量的粒子，如質(zhì)子，其除了能夠引起電離效應從而耗散自身能量外，還可以像“仔彈"一樣與半導體晶體上的晶格原子發(fā)生“碰撞"，擾亂正常的晶格排布，改變了“中性"的晶格環(huán)境，這種擾亂是持久性的，如同仔彈貫穿物體，留下持久的彈坑一樣。被擾亂的晶格會表現(xiàn)出對載流子的吸附效果，從而使得載流子在半導體運動過程中被這些擊穿的“孔洞"所俘獲，進而造成載流子傳輸效率下降。