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| 品牌 | 廣電計量 |
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服務范圍
第三代半導體器件全參數測試 電力電子器件:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。
檢測標準
l AEC-Q101分立器件認證
l MIL-STD-750半導體器件試驗?法
l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices
l GB/T29332半導體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
l AQG324功率模塊?規認證
檢測項目
| 試驗類型 | 試驗項? |
| 靜態參數 | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
| 動態參數 | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
| 其他參數 | Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相關資質
CNAS
服務背景
第三代半導體器件全參數測試 電力電子器件:功率器件在新能源汽車、智能電網等領域有廣泛應用，其中，IGBT技術瓶頸不斷被打破，第三代半導體功率器件也開始由實驗室階段步?商業應用。通常這些新型器件測試要求更?的電壓和功率?平，更快的開關時間，對測試設備及人員技術要求?，在研發時間與成本的雙重壓力下，全參數測試成為不少制造商的難題。
我們的優勢
廣電計量積極布局新型IGBT及第三代半導體功率器件的測試業務，引進先進的測試技術，為功率半導體產業上下游企業提供器件全參數檢測服務。同時，廣電計量通過構筑檢測認證與分析?體化平臺，為客?提供器件可靠性驗證及失效分析，幫助客戶分析失效機理，指導產品設計及?藝改進。
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