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技術干貨| DDR SDRAM器件電參數(shù)測試程序開發(fā)研究

更新時間:2024-04-23  |  點擊率:477

        DDR器件,即雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器,是現(xiàn)代電子設備中不能缺少的關鍵組件。DDR器件以其高速度、大容量和低功耗的特性,在計算機、服務器、通信設備和消費電子等領域得到了廣泛應用。隨著科技的快速發(fā)展,DDR器件不斷更新?lián)Q代,性能要求也在不斷提高,其電參數(shù)測試成為了確保產(chǎn)品質量和性能穩(wěn)定的關鍵環(huán)節(jié)。


電性能參數(shù)簡介

        電性能參數(shù)作為DDR器件在電路中行為特性的核心描述,反映了器件在不同工作狀態(tài)下的綜合表現(xiàn)。 DDR器件的電性能參數(shù)主要包括各狀態(tài)工作電流、時鐘頻率、數(shù)據(jù)傳輸速率以及延遲時間等關鍵要素。這些參數(shù)對DDR器件的性能表現(xiàn)具有決定性作用。具體而言,工作電流的大小直接關系到DDR器件的應用環(huán)境及功耗水平;時鐘頻率和數(shù)據(jù)傳輸速率則共同決定了DDR器件的數(shù)據(jù)處理能力;而延遲時間則是影響系統(tǒng)響應速度和整體性能不可忽視的因素。


        值得注意的是,各代DDR器件在電性能參數(shù)和工作條件方面存在顯著差異。為了深入了解這些差異,我們可以參考相關的器件手冊。例如,下圖展示了某DDR器件規(guī)格書的扉頁。從規(guī)格書中可以獲取詳細的電性能參數(shù)和工作條件信息。這些信息對于正確選擇和應用DDR器件至關重要。


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圖1


主要測試設備

        V93000-CTH


        設備特點:


        1. V93000-CTH是一臺先進的超大規(guī)模集成電路自動化測試系統(tǒng),專為數(shù)字邏輯芯片、混合信號芯片、片上系統(tǒng)SoC芯片等產(chǎn)品的測試而設計,測試范圍廣泛;


        2. 采用先進的Smartest軟件平臺,為用戶提供強大的編程和測試功能,使得測試程序的開發(fā)更為快速和高效;


        3. 平臺在數(shù)字測試通道數(shù)方面,V93000-CTH具有出色的可擴展性,可以從128通道擴展至2048通道(以128通道為最小擴展單位);


        4. 系統(tǒng)支持多種測試速度,其搭配的PS 9G板卡最高可以提供9 Gbps的測試速率。此外,該設備還支持多種測試速度的數(shù)字通道板卡混插,從而滿足不同的測試需求;


        5. 高效的測試效率:V93000-CTH具有出色的測試速度,與傳統(tǒng)的測試設備相比,它能夠更快地完成測試任務,從而提高測試效率。


測試案例

        在進行DDR測試開發(fā)之前,器件的各項參數(shù)指標是我們必須首要關注的要點。為確保測試的準確性和可靠性,我們必須選擇適當?shù)臏y試平臺,并設計符合要求的測試夾具和測試板卡。這些工具的選擇對測試結果的精確性和穩(wěn)定性具有直接影響。此外,DDR的時序配置亦不可忽視,它涉及到器件初始化、激活、預充電以及內存讀寫等操作的時序控制,對于保障內存的穩(wěn)定性和性能具有決定性作用。


        在DDR的各項電參數(shù)中,關鍵的DC參數(shù)包含了IDD0、IDD1(Operating one bank Current),IDD2(Precharge Current),IDD3(Active Current),IDD4(Operating burst write/read current ),IDD5、IDD6(Refresh Current),IDD7(Operating bank interleave read current)和IDD8(Reset Current)等,其中最小的工作電流通常小于十毫安,最大的工作電流則可能達到幾百毫安級。而關鍵的AC參數(shù)有tCK(System Clock),tAC(DQ output access time to/from CK/CK#),tDQSCK(DQS/DQS# rising to/from rising CK/CK#)等,其中系統(tǒng)時鐘通常為納秒級參數(shù),關鍵參數(shù)如tDQSCK則為皮秒級延時參數(shù)。


        下組圖為廣電計量測試某型號DDR器件時的示意圖,通過定制合適的測試板以及測試夾具,配合適當配置的ATE平臺,對相應的DDR樣品進行測試。


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 DDR機臺測試示意圖


       下組圖左側為廣電計量對某DDR器件關鍵參數(shù)測試數(shù)據(jù),測試采用V93000-CTH完成;下組圖右側為該公司同型號的規(guī)格書當中電特性參數(shù)部分列表。


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實機測試數(shù)據(jù)


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規(guī)格書中電參數(shù)判限


測試能力

        廣電計量引進國內外的測試技術和設備,搭建了DDR器件相關關鍵參數(shù)的測試開發(fā)能力。此外,廣電計量也致力于發(fā)展數(shù)字邏輯芯片、混合信號芯片以及片上系統(tǒng)SoC芯片等多元化器件的測試能力,為我國芯片產(chǎn)業(yè)的多樣化發(fā)展提供了強有力的驗證保障,為芯片產(chǎn)品的順利上市保駕護航。


廣電計量半導體服務優(yōu)勢

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