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品牌 | 廣電計量 | 服務范圍 | 全國 |
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服務周期 | 常規5-7個工作日 | 服務資質 | CMA/CNAS |
服務費用 | 視具體項目而定 |
服務范圍
廣電計量提供半導體材料微結構分析與評價服務范圍:半導體材料、有機小分子材料、高分子材料、有機/無機雜化材料、無機非金屬材料。
檢測項目
(1)半導體材料元素成分分析:EDS 元素分析,X 射線光電子能譜(XPS)元素分析;
(2)半導體材料分子結構分析:FT-IR 紅外光譜分析,X 射線衍射(XRD)光譜分析,核磁共振波普分析(H1NMR、C13NMR);
(3)半導體材料微觀形貌分析:雙束聚焦離子束(DB FIB)切片分析,場發射掃描電鏡(FESEM)微觀形貌量測與觀察,原子力顯微鏡(AFM)表面形貌觀察。
相關資質
CNAS
服務背景
隨著大規模集成電路的不斷發展,芯片制程工藝日趨復雜,半導體材料微結構及成分異常阻礙著芯片良率的提高,為半導體及集成電路新工藝的實施帶來了極大的挑戰。廣電計量提供半導體材料微結構分析與評價服務。
我們的優勢
(1)芯片晶圓級剖面制備及電子學分析,基于聚焦離子束技術(DB-FIB),對芯片局部區域進行精確切割,并實時進行電子學成像,可得到芯片剖面結構,成分等重要工藝信息;
(2)半導體制造相關材料理化特性分析,包括有機高分子材料、小分子材料、無機非?屬材料的成分分析、分子結構分析等;
(3)半導體物料污染物分析方案的制定與實施。可幫助客戶全面了解污染物的理化特性,包括:化學成分組成分析、成分含量分析、分子結構分析等物理與化學特性分析。
應的衍射斑點,其晶面間距有所不同;也就是說雖然都是fcc結構,但是其晶格參數(fcc晶胞的a值)不同,表明其是不同的工藝所得。尤其是區域2(綠色框)和區域3(黃色框)的晶格參數差異,表明該裂紋是在不同工藝的Cu的界面產生。
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